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J-GLOBAL ID：200903026928771568

トランジスタ及び半導体装置

Inventor：
川崎 雅司

About 川崎 雅司

, 
大野 英男

About 大野 英男


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 橋爪 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998326889
Publication number (International publication number)：2000150900
Application date： Nov. 17, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 酸化亜鉛等の透明チャネル層を用いた一部又は全部が透明なトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層11は、例えば、酸化亜鉛ZnO等の透明な半導体で形成される。ソース12、ドレイン13又はゲート14は、各々の内、全部又は一部に透明電極が用いられる。透明電極としては、例えば、III族元素等をドープした導電性ZnO等の透明導電性材料が用いられる。ゲート絶縁層15としては、例えば、1価の価数を取りうる元素又はV族元素をドープした絶縁性ZnO等の透明絶縁性材料が用いられる。基板16は、透明とする場合、透明な材料としては、例えば、ガラス、サファイア、プラスティック等を用いることができる。
Claim (excerpt)：
酸化亜鉛ZnO、酸化マグネシウム亜鉛MgxZn1-xO、酸化カドミウム亜鉛CdxZn1-xO、酸化カドミウムCdOの内いずれかを用いた透明チャネル層と、III族元素若しくはVII族元素若しくはI族元素若しくはV族元素のいずれかをドープした若しくはドープしない導電性ZnO等の透明導電性材料、In2O3若しくはSnO2若しくは(In-Sn)Oxなどの透明導電体、又は、透明でない電極材料を、その全部又は一部に用いた、ソース及びドレイン及びゲートを備えたトランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 V
F-Term (16)：
5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110GG04 ,  5F110GG41 ,  5F110HK07 ,  5F110HK31 ,  5F110NN71
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • トランジスタからなる製品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-003505   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
  • 特許第5744864号
  • 発光型表示装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-280369   Applicant：カシオ計算機株式会社
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Cited by examiner (9)
  • トランジスタからなる製品
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-003505   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
  • 特許第5744864号
  • 発光型表示装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-280369   Applicant：カシオ計算機株式会社
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