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J-GLOBAL ID:200903094900121865

トランジスタからなる製品

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997003505
Publication number (International publication number):1997199732
Application date: Jan. 13, 1997
Publication date: Jul. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 従来の有機n-チャネルTFFETが有する技術的問題を解決した相補型有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 無機n-チャネル薄膜TFTと有機p-チャネルTFTを有する相補型回路は、従来の相補型無機TFT又は相補型有機TFTの欠点を被ることなく、優れた特性を示す。n-チャネル無機TFTはアモルファスSi活性層を有し、p-チャネル有機TFTはα-ヘキサチエニレン(α-6T)活性層を有する。
Claim (excerpt):
n-チャネルトランジスタとp-チャネルトランジスタが接続されて構成される製品において、前記n-チャネルトランジスタ(11)は、無機薄膜トランジスタであり、前記p-チャネルトランジスタ(12)は、有機薄膜トランジスタであることを特徴とするトランジスタからなる製品。
IPC (2):
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 331
FI (3):
H01L 29/78 613 A ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • インバータ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-057574   Applicant:三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社

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