表面処理装置および表面処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074329
Publication number (International publication number)：1996274072
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】高速回転技術を利用して、被処理基体表面に充分な量のエッチングガス分子を供給するともに被処理基体表面近傍の反応生成物を速やかに排気して、高い速度や均一性や選択性などのエッチング特性を実現する表面処理装置の提供。【構成】反応容器11と、反応容器11内において被処理基体15に対向するガス導入ノズル12から、インタハロゲン化合物等の反応性ガスを導入する手段と、被処理基体を保持する平板面に略垂直な回転軸を中心として回転可能な試料保持機構13、14と、試料保持機構の外周にガスと被処理基体表面の境界に存在する境界層の厚みが被処理基体中心軸上で小、被処理基体表面外周上で大となるように制御するためのガス流調整機構16と、試料保持機構の外周から排気する手段17とを具備する。

Claim (excerpt)：

気密性の反応容器と、該反応容器内において被処理基体に対向して設けられたガス導入ノズルから、インタハロゲン化合物、ふっ化キセノン、ハロゲン化水素、オゾンのうちいずれか一種を含む反応性ガスを導入する手段と、該反応容器に収納され被処理基体を保持する平板面に略垂直な回転軸を中心として回転可能な試料保持機構と、該試料保持機構の外周に設けられ、前記ガスと被処理基体表面の境界に存在する境界層の厚みが被処理基体中心軸上で小、被処理基体表面外周上で大となるように制御するためのガス流調整機構と、前記試料保持機構の外周から排気する手段とを具備することを特徴とする表面処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/306 , H01L 21/304 341

FI (5)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 C , H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 P , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-171931
堆積膜形成装置のクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180549 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-094534

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