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J-GLOBAL ID：200903026950368750

半導体基板および半導体基板の処理方法

Inventor： 高橋 真実 ,  冨田 寛
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335708
Publication number (International publication number)：1997223668
Application date： Dec. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体単結晶膜が形成される半導体基板の表面の析出物を効果的に減少させ、長い絶縁破壊寿命の酸化膜の形成を可能とする半導体基板の処理方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板の表面に、半導体基板はエッチングされず、半導体基板表面に露出する析出物がエッチングされる条件で、選択的にエッチング処理を施す工程、および前記半導体基板表面に半導体基板を構成する半導体の単結晶膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に、半導体基板はエッチングされず、半導体基板表面に露出する析出物がエッチングされる条件で、選択的にエッチング処理を施す工程、および前記半導体基板表面に半導体基板を構成する半導体の単結晶膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-209481
  
• エピタキシャル半導体ウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106075   Applicant：九州電子金属株式会社, 住友シチックス株式会社
• 多結晶性/単結晶性シリコン界面における界面酸化物のコントロール法及びそれから導かれる装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103410   Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン