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J-GLOBAL ID：200903026968183553

記憶装置

Inventor： 山内 忠昭
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139027
Publication number (International publication number)：1996328949
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 データ転送レートが高く、かつ低価格の記憶装置を提供する。【構成】 図示しないCPUは、アクセス速度が遅いDRAM2とアクセス速度が速いSRAM3に同時にアクセスし、4ビットのデータのうちの最初の1ビットのデータをSRAM3から読出すとともに、他の3ビットのデータをDRAM2から読出す。したがって、4ビットのデータのすべてをSRAM3から読出す場合に比べ、高価格のSRAM3の容量が小さくてすみ、データ転送レートが低下することもない。

Claim (excerpt)：

n(n≧2)ビット単位でデータを読出すことが可能な記憶装置であって、各nビットのデータのうちの最初のm(m<n)ビットのデータを記憶するためのアクセス速度が速い小容量の第1の記憶手段、各nビットのデータのうちの他のn-mビットのデータを記憶するためのアクセス速度が遅い大容量の第2の記憶手段、およびアドレス信号に従って前記第1および第2の記憶手段に同時にアクセスし、前記第1の記憶手段から前記最初のmビットのデータを読出すとともに前記第2の記憶手段から前記他のn-mビットのデータを読出して、nビットのデータを連続的に出力する制御手段を備える、記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-193645   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭61-273644
  
• 特開昭61-273644