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J-GLOBAL ID：200903027037190315

X線露光用マスクとその製造方法

Inventor：
松尾 正

About 松尾 正


Applicant, Patent owner：
凸版印刷株式会社

About 凸版印刷株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997124180
Publication number (International publication number)：1998321495
Application date： May. 14, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 マスク構成および製造プロセスに起因するパターン位置変位の小さい(位置精度の高い)X線露光マスクおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 下部単結晶シリコン基板11と上部単結晶シリコン基板12が二酸化珪素膜13にて貼り合わされた貼り合わせ基板10を用いて、まず上部単結晶シリコン基板12上に、電子線描画やフォトリソグラフィの手段により、レジストパターン14を形成し、このレジストパターン14をマスクとして上部単結晶シリコン基板12をドライエッチングしてX線吸収部12a及びX線透過部15からなるパターン領域を形成する。 一方下部シリコン基板11側の保護膜パターン16aをマスクとして下部単結晶シリコン基板11を80〜90°CのKOH水溶液等によりバックエッチングして開口部17及び支持枠体11aを形成して本発明のX線露光マスクを作製する。
Claim (excerpt)：
X線吸収部とX線透過部とからなるパターン領域と、前記パターン領域を固定する支持枠体とからなるX線露光用マスクにおいて、前記X線吸収部が単結晶シリコンからなることを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G21K 5/08
FI (3)：
H01L 21/30 531 M ,  G03F 1/16 A ,  G21K 5/08 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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