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J-GLOBAL ID:200903027077063170

アクティブマトリクス型表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000181502
Publication number (International publication number):2001060693
Application date: Apr. 29, 1994
Publication date: Mar. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型表示装置に於いて、遮光方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上方に形成され、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、前記薄膜トランジスタ上方に形成された有機樹脂膜と、前記透明有機樹脂膜上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置である。
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上方に形成され、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、前記薄膜トランジスタ上方に形成された有機樹脂膜と、前記透明有機樹脂膜上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (5):
H01L 29/786 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349
FI (6):
H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-114449   Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
  • アクテイブマトリクス型表示装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-238312   Applicant:セイコーエプソン株式会社
  • 特開平2-015676
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