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J-GLOBAL ID：200903027177196321

半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器

Inventor：
田中 秀一

About 田中 秀一

, 
斎藤 淳

About 斎藤 淳


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004296589
Publication number (International publication number)：2005136402
Application date： Oct. 08, 2004
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】 狭ギャップ化が可能で接続信頼性の高い突起電極を製造することができ、さらに端子間の接続については高価な異方性導電膜を用いることなく行うことができ、しかも接続信頼性の検査も容易に行えるようにした、半導体装置の製造方法とこれによって得られる半導体装置、及び回路基板、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】 樹脂として感光性絶縁樹脂からなる層を形成する工程と、感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体4に形成する工程と、電極2上から突起体4の頂部にまで延びるパターンを有した配線部5を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電極と、前記電極よりも突出し、かつ樹脂により所定のパターンで形成された突起体と、前記電極に電気的に接続し、かつ前記突起体の上面に至る配線部と、を有する半導体装置の製造方法であって、 前記樹脂として感光性絶縁樹脂層を形成する工程と、 前記感光性絶縁樹脂層に露光処理、現像処理を施してパターニングするとともに、前記感光性絶縁樹脂層の上面が凸形状の曲面となるパターンの突起体に形成する工程と、 前記電極上から前記突起体の頂部にまで延びるパターンを有した配線部を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1)：
H01L21/60
FI (3)：
H01L21/92 602E ,  H01L21/92 604B ,  H01L21/92 604C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平2-272737号公報
Cited by examiner (5)
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