半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999070422
Publication number (International publication number)：2000269330
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜に対し簡単な工程で精度の高いエッチングを行うことにより、低コストで信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】有機SOG膜3の上にシリコン窒化膜6aを形成し、このシリコン窒化膜6aをレジストパターン8をマスクとしてパターニングし、レジストパターン8を酸素プラズマでアッシングしてからシリコン窒化膜マスク6をマスクとして有機SOG膜3をエッチング加工するものにおいて、レジストパターンをアッシングする前に、有機SOG膜3の表面層にイオンを注入してこの部分に改質SOG膜4を形成しておく。この改質SOG膜4によりレジストパターン8のアッシング処理から有機SOG膜3を保護する。

Claim (excerpt)：

基板上に第1絶縁膜を形成する第1工程と、前記第1絶縁膜の上に第1の膜を形成する第2工程と、前記第1の膜の上に第1マスクパターンを形成する第3工程と、前記第1マスクパターンをマスクとして、前記第1の膜をパターニングする第4工程と、前記第1マスクパターンを除去する第5工程と、を含み、前記第1工程終了後から前記第5工程の開始前までの間に、前記第1絶縁膜の少なくとも表面層に、前記第5工程による前記第1マスクパターンの除去処理に対する保護層を形成する第6工程を行うことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/768 , H01L 21/265 , H01L 21/3065 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (5)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 G , H01L 21/318 B , H01L 21/265 Y , H01L 21/302 H

F-Term (73)：

5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BD01 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA07 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM12 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ62 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS12 , 5F033SS13 , 5F033SS14 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX03 , 5F033XX34 , 5F058AD05 , 5F058AD11 , 5F058AF04 , 5F058AG06 , 5F058AH02 , 5F058BA07 , 5F058BD01 , 5F058BD09 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BH15 , 5F058BJ02 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181593 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-172056 Applicant：日本電気株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089083 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181593 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-172056 Applicant：日本電気株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089083 Applicant：ソニー株式会社

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