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J-GLOBAL ID：200903027279188064

薄膜トランジスタ

Inventor： 碓井 節夫 ,  鈴木 信明 ,  ダラム パル ゴサイン
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994186743
Publication number (International publication number)：1996032083
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ゲート絶縁膜とチャネル領域との界面の表面粗さを小さくすることで、移動度を高めてトランジスタ特性や信頼性の向上を図る。【構成】 ガラス基板11上には金属ゲート電極12が形成され、その表面には陽極酸化で化成される酸化金属膜13が形成されている。さらに酸化金属膜13上にはゲート絶縁膜14が形成され、金属ゲート電極12の上方のゲート絶縁膜14上には多結晶シリコンからなるチャネル領域15が形成されている。チャネル領域15の両側にはソース・ドレイン領域17,18が形成されている。またゲート絶縁膜14は、窒化シリコン膜21と酸化シリコン膜22とを積層したものからなる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に形成した金属ゲート電極と、前記金属ゲート電極の表面に陽極酸化で形成した金属酸化膜と、前記金属酸化膜上に形成したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成した多結晶シリコンからなるチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成したソース・ドレイン領域とからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 23/14

FI (3)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 C ,  H01L 23/14 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 液晶表示装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-272667   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-276672
  
• 特開昭61-171166
  
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-102145   Applicant：ソニー株式会社