基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007159546
Publication number (International publication number)：2007266626
Application date： Jun. 15, 2007
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：

【課題】カルコパイライト吸収層(4,5)を有する太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】製造過程でNa,K及びLiから選択される元素又は該元素の化合物をドーピング添加することにより、完成した吸収層内に所望のアルカリ金属含量を得る。場合によるアルカリ金属含有基板(1)からのアルカリ金属イオンの付加的拡散侵入は、基板と吸収層の間に拡散遮断層(2)を設けることにより阻止する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板(1,7,8)上に、背面電極(3,6)、カルコパイライト吸収層(4,5)及び前面電極を有する太陽電池を製造する方法において、吸収層(4,5)の製造前又は製造中にNa,K及びLiから選択される元素の化合物をドーピングにより添加し、かつ製造工程中の吸収層内への基板からアルカリ金属イオンの付加的拡散を、拡散遮断層(2,6,9,10a)を基板と吸収層の間に配置することにより阻止し、それにより完成した吸収層内における前記元素の所望のかつドーピングにより決まる濃度を調整することを特徴とする、基板上に太陽電池を製造する方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 , C23C 14/34

FI (2)：

H01L31/04 E , C23C14/34 A

F-Term (19)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BA44 , 4K029BB03 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC05 , 4K029DC35 , 4K029HA02 , 5F051AA10 , 5F051AA16 , 5F051CB14 , 5F051CB15 , 5F051CB18 , 5F051GA03 , 5F051GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236333 Applicant：松下電器産業株式会社
電子素子部材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-275761 Applicant：株式会社日鉱共石

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

The Effect of Substrate Impurities on the Electronic Conductivity in CIS Thin Films

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