半導体集積回路のパターン設計方法、フォトマスク、および半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081140
Publication number (International publication number)：2001337440
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】露光プロセスによる転写パターンの変形を抑制し、設計通りのパターンをウエハ上に転写する。【解決手段】半導体集積回路のパターン設計方法において、複数のコンタクトホールの各開口パターン形状を、長方形にするとともに、これらのコンタクトホールを、前記各開口パターンの長方形の長辺同士が隣接し、しかも各長辺の両端の位置を揃えることにより、フォトマスク上のパターンを光近接補正が容易にしかも正確に行えるものとする。

Claim (excerpt)：

電気的に接続される複数の正方形開口パターンを持つコンタクトホールに替えて、長方形開口パターンを持つコンタクトホールを設けることを特徴とする半導体集積回路のパターン設計方法。

IPC (4)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 658 , G06F 17/50 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A , G06F 17/50 658 J , G06F 17/50 658 M , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

特開昭52-055379
特開昭52-055379
自動配線方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-099994 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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