半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997195771
Publication number (International publication number)：1999040670
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置のコンタクトホール形成のために必要となる導電領域の面積を減少させ、半導体装置の高集積化あるいは高速化を容易にする。【解決手段】半導体装置のコンタクトホールを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、複数のサブパターンとこれらを連結するスリット状あるいは階段状のパターンとで構成されるマスクパターンがフォトレジストに転写され、この転写されたフォトレジストをマスクにしたドライエッチングで1個のコンタクトホールが形成される。

Claim (excerpt)：

導電領域と配線層とを接続するためのコンタクトホールの平面形状において、長方形状のコンタクトホールの長辺部にくびれが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 , G03F 1/16 , H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/90 D , G03F 1/16 E , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 514 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体集積回路及びその層間接続方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-353597 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開昭60-079748
特開昭57-028358

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