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J-GLOBAL ID：200903027427405916

半導体メモリ装置

Inventor：
古賀 光弘

About 古賀 光弘

, 
吉田 宗博

About 吉田 宗博

, 
新矢 寛

About 新矢 寛


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002145210
Publication number (International publication number)：2003059290
Application date： May. 20, 2002
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 好ましいデータ不良の救済態様を有する半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 半導体メモリは、通常のデータ書き込み,読み出しに用いられるノーマルデータ部及び、ノーマルデータ部からの読み出しデータの誤り検出を行うための検査用データを記憶するパリティデータ部を備えたセルアレイと、セルアレイからの読み出しデータ及びセルアレイへの書き込みデータを一時保持するデータバッファと、データ書き込み時に入力された書き込みデータからパリティデータ部に記憶すべき検査用データを生成し、データ読み出し時にノーマルデータ部から読み出されたデータとパリティデータ部から読み出された検査用データに基づいて読み出されたデータのエラー検知訂正を行うエラー検知訂正回路とを備える。データバッファとセルアレイのノーマルデータ部との間はnビット並列データの授受が行われ、データバッファと外部入出力端子の間はmビット並列データ(但し、m<n)の授受が行われる。
Claim (excerpt)：
通常のデータ書き込み,読み出しに用いられるノーマルデータ部及び、ノーマルデータ部からの読み出しデータの誤り検出を行うための検査用データを記憶するパリティデータ部を備えたセルアレイと、前記セルアレイからの読み出しデータ及びセルアレイへの書き込みデータを一時保持するデータバッファと、データ書き込み時に、入力された書き込みデータから前記パリティデータ部に記憶すべき検査用データを生成し、データ読み出し時に前記ノーマルデータ部から読み出されたデータと前記パリティデータ部から読み出された検査用データに基づいて読み出されたデータのエラー検知訂正を行うエラー検知訂正回路とを備え、前記データバッファと前記セルアレイのノーマルデータ部との間はnビット並列データの転送が行われ、前記データバッファと外部入出力端子の間はmビット並列データの転送が行われるものであって(m,nは整数であって、m<n)、データ書き込みサイクルの前半において、書き換えられるべきmビットデータを含むnビットデータが並列読み出しされて、前記エラー検知訂正回路でそのnビットデータのエラー検知訂正が行われ、データ書き込みサイクルの後半において、前記エラー検知訂正回路で訂正されたnビット並列データのうち書き換えられるべきmビットデータ部分が外部入出力端子から供給されたmビット並列データで置き換えられて、前記ノーマルデータ部に転送されることを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (4)：
G11C 29/00 631 ,  G06F 12/16 320 ,  G11C 11/401 ,  G11C 11/403
FI (4)：
G11C 29/00 631 D ,  G06F 12/16 320 F ,  G11C 11/34 371 C ,  G11C 11/34 371 J
F-Term (21)：
5B018GA02 ,  5B018HA15 ,  5B018HA17 ,  5B018KA21 ,  5B018NA02 ,  5B018QA03 ,  5B018QA15 ,  5L106AA01 ,  5L106BB02 ,  5L106BB12 ,  5L106FF05 ,  5L106GG05 ,  5M024AA40 ,  5M024BB30 ,  5M024BB35 ,  5M024EE05 ,  5M024KK22 ,  5M024MM09 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-161669   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平4-209395
  • 半導体メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-156147   Applicant：株式会社日立製作所
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Cited by examiner (6)
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-161669   Applicant：株式会社東芝
  • 特開平4-209395
  • 半導体メモリ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-156147   Applicant：株式会社日立製作所
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