Pat
J-GLOBAL ID:200903027427405916
半導体メモリ装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊丹 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002145210
Publication number (International publication number):2003059290
Application date: May. 20, 2002
Publication date: Feb. 28, 2003
Summary:
【要約】【課題】 好ましいデータ不良の救済態様を有する半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 半導体メモリは、通常のデータ書き込み,読み出しに用いられるノーマルデータ部及び、ノーマルデータ部からの読み出しデータの誤り検出を行うための検査用データを記憶するパリティデータ部を備えたセルアレイと、セルアレイからの読み出しデータ及びセルアレイへの書き込みデータを一時保持するデータバッファと、データ書き込み時に入力された書き込みデータからパリティデータ部に記憶すべき検査用データを生成し、データ読み出し時にノーマルデータ部から読み出されたデータとパリティデータ部から読み出された検査用データに基づいて読み出されたデータのエラー検知訂正を行うエラー検知訂正回路とを備える。データバッファとセルアレイのノーマルデータ部との間はnビット並列データの授受が行われ、データバッファと外部入出力端子の間はmビット並列データ(但し、m<n)の授受が行われる。
Claim (excerpt):
通常のデータ書き込み,読み出しに用いられるノーマルデータ部及び、ノーマルデータ部からの読み出しデータの誤り検出を行うための検査用データを記憶するパリティデータ部を備えたセルアレイと、前記セルアレイからの読み出しデータ及びセルアレイへの書き込みデータを一時保持するデータバッファと、データ書き込み時に、入力された書き込みデータから前記パリティデータ部に記憶すべき検査用データを生成し、データ読み出し時に前記ノーマルデータ部から読み出されたデータと前記パリティデータ部から読み出された検査用データに基づいて読み出されたデータのエラー検知訂正を行うエラー検知訂正回路とを備え、前記データバッファと前記セルアレイのノーマルデータ部との間はnビット並列データの転送が行われ、前記データバッファと外部入出力端子の間はmビット並列データの転送が行われるものであって(m,nは整数であって、m<n)、データ書き込みサイクルの前半において、書き換えられるべきmビットデータを含むnビットデータが並列読み出しされて、前記エラー検知訂正回路でそのnビットデータのエラー検知訂正が行われ、データ書き込みサイクルの後半において、前記エラー検知訂正回路で訂正されたnビット並列データのうち書き換えられるべきmビットデータ部分が外部入出力端子から供給されたmビット並列データで置き換えられて、前記ノーマルデータ部に転送されることを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (4):
G11C 29/00 631
, G06F 12/16 320
, G11C 11/401
, G11C 11/403
FI (4):
G11C 29/00 631 D
, G06F 12/16 320 F
, G11C 11/34 371 C
, G11C 11/34 371 J
F-Term (21):
5B018GA02
, 5B018HA15
, 5B018HA17
, 5B018KA21
, 5B018NA02
, 5B018QA03
, 5B018QA15
, 5L106AA01
, 5L106BB02
, 5L106BB12
, 5L106FF05
, 5L106GG05
, 5M024AA40
, 5M024BB30
, 5M024BB35
, 5M024EE05
, 5M024KK22
, 5M024MM09
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-161669
Applicant:株式会社東芝
-
特開平4-209395
-
半導体メモリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-156147
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開昭61-187199
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-285789
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
-
特開平4-149899
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Cited by examiner (6)
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-161669
Applicant:株式会社東芝
-
特開平4-209395
-
半導体メモリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-156147
Applicant:株式会社日立製作所
-
特開昭61-187199
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-285789
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
-
特開平4-149899
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