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J-GLOBAL ID：200903027431300371

半導体ガスセンサ

Inventor： 角崎 雅博 ,  山崎 茂一 ,  藤城 敏史 ,  谷野 克巳 ,  星野 昌則 ,  南 政克 ,  山田 浩美
Applicant, Patent owner： 富山県 ,  科学技術振興事業団 ,  コーセル株式会社 ,  北陸電気工業株式会社 ,  東洋化工株式会社
Agent (1)： 廣澤 勲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999255560
Publication number (International publication number)：2001074681
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 揮発性有機物質の検知感度が高い半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】 酸化スズにマンガンの酸化物を添加したガス感応体16を備えた半導体ガスセンサである。マンガンの酸化物は、酸化スズに対して0.5〜20重量%添加したものである。

Claim (excerpt)：

酸化スズを主成分とするガス感応体を備えた半導体ガスセンサにおいて、前記ガス感応体は酸化スズにマンガンの酸化物を添加または担持させたものであることを特徴とする半導体ガスセンサ。

F-Term (15)：

2G046AA23 ,  2G046AA25 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BC04 ,  2G046BE03 ,  2G046DB05 ,  2G046DC12 ,  2G046DC14 ,  2G046EA01 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE21 ,  2G046FE39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 厚膜ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227661   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭56-043548