半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996203967
Publication number (International publication number)：1998050727
Application date： Aug. 01, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】キャリア供給層を有する電界効果トランジスタに関し、寄生抵抗を低減し、かつゲートリーク電流を小さく、或いはゲート耐圧を向上させることができるノーマリオフ型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半絶縁性基板21上の一導電型のキャリア供給層22と、キャリア供給層22上に形成された、キャリア供給層22より電子親和力の大きいチャネル層23と、チャネル層23上に形成された、チャネル層23より電子親和力の小さいゲートバリア層24と、ゲートバリア層24上に部分的に形成された反対導電型の閾値制御層25aと、閾値制御層25a上のゲート電極と、閾値制御層25aの両側であって、閾値制御層25aの端部から間隔をおいて、かつバリア層24表面からチャネル層23に達するように形成されたソース/ドレイン領域28a,28bとを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半絶縁性基板上の一導電型のキャリア供給層と、前記キャリア供給層上に形成された、前記キャリア供給層より電子親和力の大きいチャネル層と、前記チャネル層上に形成された、前記チャネル層より電子親和力の小さいゲートバリア層と、前記ゲートバリア層上に部分的に形成された反対導電型の閾値制御層と、前記閾値制御層上のゲート電極と、前記閾値制御層の両側であって、前記閾値制御層の端部から間隔をおいて、かつ前記ゲートバリア層表面から前記チャネル層に達するように形成されたソース/ドレイン領域と、前記ソース/ドレイン領域上に形成されたソース/ドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-263472
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-003300 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭62-145779

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