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J-GLOBAL ID:200903027522058735

電界放出素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西村 教光 (外1名) ,  西村 教光
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992071219
Publication number (International publication number):1993274997
Application date: Mar. 27, 1992
Publication date: Oct. 22, 1993
Summary:
【要約】【目的】 動作電圧が小さく、エミッタが破損しにくい電界放出素子を提供する。【構成】 基板2の上面にはエミッタ4が設けられている。エミッタ4は基部6と複数の矩形の先端部7から成る。基板2上に設けられた凹部3内にはゲート5が設けられ、エミッタ4の先端部7と近接している。エミッタ4の先端部7の幅aと、先端部7,7の間隔bは、b/a=2の寸法比に設定されている。エミッタ4の各先端部7に印加される電界強度はb/a≦1の従来品に比べて大幅に増大し、動作電圧が低減して十分なエミッタ電流が得られる。
Claim (excerpt):
エミッタとゲートを備えた電界放出素子において、前記エミッタは、基部と該基部から突出した複数の先端部からなり、前記各先端部の幅aと各先端部相互間の間隔bの各値が式b/a>1を満たすことを特徴とする電界放出素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-073837
  • 特開昭64-054649
  • 特開平4-056040

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