水素ガスセンサ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小倉亘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000114629
Publication number (International publication number)：2001296238
Application date： Apr. 17, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【目的】水素吸蔵により膨張するPd-Ag合金層の特性を利用した水素ガスセンサを提供する。【構成】この水素ガスセンサは、基板に蒸着されたPd-Ag合金層の上にPd又はPt薄膜が形成されており、水素吸蔵によるPd-Ag合金層の膨張が基板の歪として検出される。Pd-Ag合金層をSO2処理した後でPd又はPt薄膜を積層してもよい。

Claim (excerpt)：

基板に蒸着されたPd-Ag合金層の上にPd又はPt薄膜が形成されており、水素吸蔵によるPd-Ag合金層の膨張が基板の歪として検出されることを特徴とする水素ガスセンサ。

IPC (3)：

G01N 19/00 , C01B 3/00 , C22C 5/06

FI (3)：

G01N 19/00 H , C01B 3/00 B , C22C 5/06 Z

F-Term (3)：

4G040AA01 , 4G040AA32 , 4G040AA43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

水素センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-273684 Applicant：ゼネラル・モーターズ・コーポレーション
水素貯蔵合金の水素吸蔵量検知センサー並びに該センサーを用いた水素吸蔵量検知方法及び水素吸蔵量制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-228677 Applicant：株式会社日本製鋼所
水素分離装置、水素分離壁およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-126570 Applicant：松下電器産業株式会社

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