Pat

J-GLOBAL ID：200903027665444270

半導体装置の製造方法

Inventor： 竹内 良一 ,  三谷 和弘 ,  吉岡 敦
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175072
Publication number (International publication number)：1997027498
Application date： Jul. 11, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の金属電極部に精細なはんだ層を形成し、はんだ電極付き半導体装置を能率良く得る。【構成】 半導体ウェーハ上の半導体装置の金属電極部にイミダゾール等の粘着性付与組成物で処理して所望部分にのみ粘着性を付与し、この部分に微細なはんだ粉末を付着させた後、加熱溶融してはんだ層を形成し、しかる後ウェーハを切断分離して半導体装置を得る。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ表面に金属電極を形成した後、該金属電極表面の所定の部分と粘着性付与化合物を含む組成物とを反応させることにより粘着性を付与し、粘着性付与部分にのみはんだ粉末を付着させた後、加熱してはんだ粉末を溶融させ、金属電極表面にはんだ層を形成した後、ウェーハを切断して半導体装置を分離することを特徴とするはんだ電極を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/321 ,  H01L 33/00 ,  H01L 43/06

FI (6)：

H01L 21/92 604 D ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B ,  H01L 43/06 D ,  H01L 43/06 Z ,  H01L 21/92 603 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• はんだ粉末定着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-119504   Applicant：昭和電工株式会社
• バンプ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-008249   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-321281