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J-GLOBAL ID：200903027671285345

CVD装置を用いたZrN膜の形成方法

Inventor： ド・ヒョ・キム
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997214509
Publication number (International publication number)：1998088353
Application date： Aug. 08, 1997
Publication date： Apr. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜の膜厚を減少させ、より安定した薄膜が得られるように、CVD装置を用いたZrN膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 CVDのソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を使用し、そのソースに気化用ガスを供給して気体状態にし、これを前記チェンバー内に供給し、同時に、CVD用反応ガスをチェンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する。

Claim (excerpt)：

CVD装置のチャンバー内に基板を入れ;ソースとして、Zr[N(CH3)2]4、Zr[N(C2H5)2]4、Zr[N(CH3)(C2H5)]4を用意し;前記ソースに気化用ガスを供給して前記ソースを気体状態にし、これを前記チャンバー内に供給し;CVD用反応ガスをチャンバー内に供給して前記基板にZrN膜を形成する;ことを特徴とするCVD装置を用いたZrN膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

C23C 16/34 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-215042
  
• Al薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153639   Applicant：川崎製鉄株式会社