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J-GLOBAL ID：200903048529187457

Al薄膜の形成方法

Inventor： 山本 浩 ,  太田 与洋 ,  竹安 伸行 ,  近藤 英一
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993153639
Publication number (International publication number)：1995014803
Application date： Jun. 24, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法を用いてTiN膜上に平坦性に優れたAl薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る他のAl薄膜の形成方法は、TiN膜の形成された基板を、窒素プラズマに晒す第1の工程と、Al成分を含んだ原料ガスを供給して化学気相成長法により、TiON膜上にAl薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

TiN膜の形成された基板を、窒素プラズマに晒す第1の工程と、Al成分を含んだ原料ガスを供給して化学気相成長法により、前記TiN膜上にAl薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とするAl薄膜の形成方法。