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J-GLOBAL ID：200903027686805230

光ファイバの製造方法

Inventor：
永山 勝也

About 永山 勝也

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大賀 裕一

About 大賀 裕一

, 
桑原 一也

About 桑原 一也

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土屋 一郎

About 土屋 一郎


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289736
Publication number (International publication number)：2001114526
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Apr. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 線引き炉内の雰囲気ガスとして熱伝導率の高いHeガスを用いた場合において、レイリー散乱強度の低減により、伝送損失が低くされた光ファイバを製造することが可能な光ファイバの製造方法を提供すること。【解決手段】 線引き炉11と保護管21との間には、緩衝室41が設けられており、この緩衝室41の光ファイバ3の線引き方向における長さは、L1とされている。緩衝室41は、第1緩衝室42と第2緩衝室45とで構成されている。緩衝室41(第1緩衝室42及び第2緩衝室45)の内部空間は、線引き炉11(炉心管13)内の雰囲気ガスであるHeガスと、保護管21内の雰囲気ガスである空気とが混在している。
Claim (excerpt)：
光ファイバ母材を加熱線引きする光ファイバの製造方法であって、Heガスからなる雰囲気にて前記光ファイバ母材を加熱線引きする線引き炉と、前記線引き炉との間に所定の間隙を有して設けられると共に、その内部が前記Heガスより低い熱伝導率を有する所定のガスからなる雰囲気とされた保護管と、を用い、前記線引き炉と前記保護管との間の前記間隙を、前記Heガス及び前記所定のガスが混在するガス混在層とし、前記ガス混在層への前記線引きされた光ファイバの入線温度を1400〜1800°Cの範囲内の温度とする一方、前記線引き炉にて前記線引きされた光ファイバを、前記ガス混在層を介して前記保護管内に送ることを特徴とする光ファイバの製造方法。
IPC (3)：
C03B 37/029 ,  C03B 37/027 ,  G02B 6/00 356
FI (3)：
C03B 37/029 ,  C03B 37/027 A ,  G02B 6/00 356 A
F-Term (3)：
4G021HA03 ,  4G021HA04 ,  4G021HA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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