ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007186377
Publication number (International publication number)：2009023855
Application date： Jul. 18, 2007
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：

【課題】ダイヤモンド表面の任意の領域を、結晶欠陥を生成することなく、室温で、また従来に比しその1/10程度の短時間の処理時間で、改質する方法を提供する。【解決手段】酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置したダイヤモンド1の表面に高エネルギー光線7を照射することにより、ダイヤモンド1の表面を酸化して改質する。なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面を酸化若しくは清浄化する改質方法であって、ダイヤモンドの表面に高エネルギー光線を照射するにあたり、前記ダイヤモンドを、酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置することを特徴とするダイヤモンド表面の改質方法。

IPC (1)：

C30B 29/04

FI (1)：

C30B29/04 V

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077BA03 , 4G077FE02 , 4G077FE03 , 4G077FE16 , 4G077FG18 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G146AA04 , 4G146CA09 , 4G146CB14 , 4G146CB16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特許公開平5-24990
水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFETおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-221275 Applicant：東京瓦斯株式会社
特許公開2003-31109

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