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J-GLOBAL ID：200903027824151009
電子デバイス用基板およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007072076
Publication number (International publication number)：2008235520
Application date： Mar. 20, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
【課題】シリコン電界効果トランジスタの性能を凌駕するとともに、カーボンナノチューブの問題点を克服する革新的かつ実用的な電子デバイス用基板を提供することにある。【解決手段】シリコン基板1上に形成された第1の酸化シリコン膜2と、第1の酸化シリコン膜2の上に配置される第2の酸化シリコン膜3と、第2の酸化シリコン膜3上に配置されるグラファイト膜4とを有するようにした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたグラファイト膜とを有し、
前記グラファイト膜は、前記絶縁膜を介して前記基板に接着された後に薄膜化された膜である
ことを特徴とする電子デバイス用基板。
IPC (2)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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特開昭61-294846
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グラフェントランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-040775
Applicant：富士通株式会社
Article cited by the Patent：
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