グラフェントランジスタ及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007040775
Publication number (International publication number)：2008205272
Application date： Feb. 21, 2007
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】グラフェントランジスタ及びその製造方法に関し、通常の安定したカーボンナノチューブの成長方法により作成したグラフェンを用いてトランジスタを構成する。【解決手段】カーボンナノチューブの成長過程においてその先端に形成されたグラフェン3を接着作用を有する絶縁体2によって基板1に貼り付け、グラフェン3をチャネルとしてその一方の端部にソース電極4を形成し且つ他方の端部にドレイン電極5を形成するとともに、ゲート電極6を設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブの成長過程においてその先端に形成されたグラフェンを接着作用を有する絶縁体によって基板に貼り付け、前記グラフェンをチャネルとしてその一方の端部にソース電極を形成し且つ他方の端部にドレイン電極を形成するとともに、ゲート電極を設けたことを特徴とするグラフェントランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

F-Term (21)：

5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG24 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110QQ14 , 5F110QQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-144905 Applicant：富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

グラフェン集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-163856 Applicant：国立大学法人北海道大学
単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-555294 Applicant：アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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