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J-GLOBAL ID：200903027986478435

二次電池及びその製造方法

Inventor：
周 豪慎

About 周 豪慎

, 
本間 格

About 本間 格


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003400949
Publication number (International publication number)：2005166325
Application date： Dec. 01, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：
【要約書】 【課題】 ポーラス構造のフレームワークの中に黒鉛カーボンの微結晶を有する三次元構造を持つメソポーラスカーボンの製造に際して、初期充・放電サイクルにおいて一定の不可逆容量によりロスが有っても、数サイクル後には高い容量を維持させ、初期充・放電サイクルを除き高い可逆率(R>90%)を維持しているカーボン系電極材料を備えた二次電池を得る。【解決手段】 3次元的に均一な細孔が規則的に配列したメソポーラスカーボンからなる電極で構成され、細孔の平均直径が2nm〜6nmであり、ポーラス構造のフレームワークの中に、数ナノオーダーのグラファイト(黒鉛)の微細結晶を備えている二次電池。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
3次元的に均一な細孔が規則的に配列したメソポーラスカーボンからなる電極で構成されていることを特徴とする二次電池。
IPC (5)：
H01M4/02 ,  C04B35/52 ,  H01M4/04 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40
FI (5)：
H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/58 ,  H01M10/40 Z ,  C04B35/52 A
F-Term (72)：
4G132AA02 ,  4G132AA06 ,  4G132AA13 ,  4G132AA36 ,  4G132AA67 ,  4G132AA74 ,  4G132AA75 ,  4G132BA07 ,  4G132CA04 ,  4G132CA05 ,  4G132CA06 ,  4G132CA12 ,  4G132CA17 ,  4G132CA18 ,  4G132GA04 ,  4G132GA06 ,  4G132GA21 ,  4G132GA23 ,  4G132GA25 ,  4G132GA48 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB05 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AC04A ,  4G146AC04B ,  4G146AC06A ,  4G146AC06B ,  4G146AC08A ,  4G146AC08B ,  4G146AC09A ,  4G146AC09B ,  4G146AC19A ,  4G146AC19B ,  4G146AD11 ,  4G146AD25 ,  4G146BA11 ,  4G146BB05 ,  4G146BB10 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146CA01 ,  4G146CA20 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AL06 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ12 ,  5H029CJ23 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ13 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ05 ,  5H029HJ06 ,  5H029HJ07 ,  5H029HJ19 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CB07 ,  5H050DA03 ,  5H050FA09 ,  5H050FA19 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA23 ,  5H050HA06 ,  5H050HA07 ,  5H050HA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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