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J-GLOBAL ID：200903028013457732

プラズマエッチング装置

Inventor： 上田 陽一 ,  隼田 英紀
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239822
Publication number (International publication number)：1996107102
Application date： Oct. 04, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】反応容器11と、この反応容器内に設けられた上部電極12および試料台を兼ねた下部電極17と、該上部電極12と該下部電極17との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマエッチング装置において、前記上部電極が高純度シリコンで形成されるとともに前記上部電極を被覆する石英製カバー14を備える。【効果】パーティクルやメタルコンタミが少なくしかも安定的に高速のポリシリコンのエッチングを可能とする。

Claim (excerpt)：

反応容器と、この反応容器内に設けられた上部電極および試料台を兼ねた下部電極と、該上部電極と該下部電極との間に高周波を印加する手段とを備えたプラズマエッチング装置において、前記上部電極が高純度シリコンで形成されるとともに前記上部電極を被覆する石英製カバーを備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマエッチング用電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-350446   Applicant：日清紡績株式会社
• 特開昭58-213427
  
• 特開平3-291928