透明導電性膜のドライエッチング方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994252695
Publication number (International publication number)：1996097190
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを800〜900Å/minまで向上させたドライエッチング方法を提案する。【構成】基板上の透明導電性膜にエッチングガスの高周波プラズマを用いてエッチングする際、エッチングガスとしてヨウ化水素ガスにアルゴンガスを0.5〜50vol%混合したエッチングガスを用いるドライエッチング方法。【効果】従来のドライエッチング法のようなメタン等の炭化水素系プラズマを使用していないから、従来法のようなエッチング処理室或いは電極上にカーボン系のポリマーの堆積がないので、エッチング処理室のクリーニングを頻繁に行うことなく、透明導電性膜へのエッチングレートを向上させることが出来ると共に、安定したエッチングレートが得られる。

Claim (excerpt)：

ハロゲンガス或いはハロゲン化物ガスを含むエッチングガスの高周波プラズマを利用して、基板上のSnO2或いはIn2O3或いはZnOを主成分とする透明導電性膜をエッチング加工する方法において、前記エッチングガスはアルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスから成る群より選択された少なくとも1種を0.5〜50vol%含むガスであることを特徴とする透明導電性膜のドライエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01B 13/00 503 , H01L 21/304 341 , H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/302 F , H01L 31/04 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ITOのドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-242493 Applicant：日新電機株式会社

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