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J-GLOBAL ID:200903028043617408

超微粒子成膜法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 工業技術院機械技術研究所長
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999210765
Publication number (International publication number):2000212766
Application date: Jul. 26, 1999
Publication date: Aug. 02, 2000
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 超微粒子や基板に高速のエネルギービームを照射し、超微粒子材料を溶解或は分解せずに、超微粒子や基板表面に付着した水分子等による汚染層や酸化物層を除去したり、アモルファス化することで活性化し、超微粒子流の速度が遅くても、超微粒子と基板若しくは超微粒子相互の強固な接合をもたらし、皮膜を形成する。【解決手段】 減圧チャンバー20内において超微粒子の流れ5が基板1に衝突する以前においてこれらの超微粒子や基板に、イオン、原子、分子ビームや低温プラズマなどの高エネルギー原子、分子である高速の高エネルギービームを照射することにより超微粒子や基板表面を溶融することなく活性化し、上記超微粒子と基板若しくは超微粒子相互の結合を促進させ、超微粒子の結晶性を保持したまま緻密で良好な膜物性と基板への良好な密着性を有する堆積物を形成する。
Claim (excerpt):
減圧チャンバー内において超微粒子材料を加速し基板に衝突させて堆積するようにした超微粒子の成膜法であって、少なくとも上記超微粒子の流れが上記基板に衝突する以前においてこれら超微粒子や基板に、イオン、原子、分子ビームや低温プラズマなどの高エネルギー原子、分子である高速の高エネルギービームを照射することにより超微粒子や基板表面を溶融することなく活性化し、上記超微粒子と基板若しくは超微粒子相互の結合を促進させ、超微粒子の結晶性を保持したまま緻密で良好な膜物性と基板への良好な密着性を有する堆積物を形成するようにしたことを特徴とする超微粒子成膜法。
IPC (7):
C23C 24/04 ,  B01J 19/12 ,  C01G 23/04 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  C23C 26/00
FI (7):
C23C 24/04 ,  B01J 19/12 G ,  C01G 23/04 B ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  C23C 26/00 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特許第2963993号

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