半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176365
Publication number (International publication number)：1994021333
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】金属酸化物誘電体を基質とする薄膜を用いた容量素子が、半導体基板上に形成された半導体記憶装置において、金属酸化物誘電体膜の酸素処理を低温化することにより、高温酸素処理による半導体素子の劣化を防ぐ。【構成】金属酸化物誘電体を積層した後、酸素、あるいはオゾンのプラズマ雰囲気中で熱処理をする。【効果】素子特性の変動や、金属、あるいは金属シリサイドの配線抵抗増加、あるいは断線を防ぐことができ、高信頼の半導体装置を製造できる。

Claim (excerpt)：

金属酸化物を主たる成分とする誘電体薄膜が、2つの電極によってはさまれた構造を有する誘電体素子が、能動素子の形成された同一基板上に集積された半導体装置の製造方法において、前記誘電体を酸素プラズマ、オゾン・プラズマの内いずれか、もしくは両方を含む雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-128531
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-304220 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-199828

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