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J-GLOBAL ID：200903028146933952

半導体組成物、半導体組成物の分散液および該半導体組成物を用いた薄膜トランジスタ

Inventor： 平井 桂
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004279090
Publication number (International publication number)：2006093539
Application date： Sep. 27, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】有機半導体組成物を利用した薄膜トランジスタを得るにあたって、成膜性がよく、より移動度が向上し、半導体特性に優れた有機半導体組成物を提供する。【解決手段】ガス中蒸発法により得られた金属微粒子4と、金属微粒子に結合可能な結合性基3が結合するという非常に簡単な方法により、配向膜などの配向処理が不要な半導体組成物を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガス中蒸発法により得られた金属微粒子と、金属微粒子に結合可能な結合性基を有する有機半導体化合物を含有させたことを特徴とする半導体組成物。

IPC (4)：

H01L 51/05 ,  H01L 21/368 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/28 ,  H01L21/368 L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A

F-Term (43)：

5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053KK05 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG51 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028474   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-241078   Applicant：松下電器産業株式会社
• 国際公開第00/79617号パンフレット
  
• 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-050047   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 国際公開第03/089515号パンフレット