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J-GLOBAL ID：200903063099830368

半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ

Inventor： コンスタンティノス・ホンドルディス ,  クリストス・ディー・デミィトラコプロス ,  シェリー・アール・カガン ,  ヨアンニス・キミシス ,  デービット・ビー・ミツィ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000050047
Publication number (International publication number)：2000260999
Application date： Feb. 25, 2000
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体チャネルとして有機/無機混成材料を使用する改良型FET構造を提供すること。【解決手段】 本発明によるFET構造は、デバイスのソース電極34とドレーン電極36の間に半導体チャネルとして有機/無機混成材料32を使用する。有機/無機材料は、無機の結晶性固体と有機材料の利点を兼ね備える。無機成分は拡張された無機の一次元、二次元または三次元ネットワークを形成して、無機の結晶性固体の高いキャリア移動度特性を提供する。有機成分はこれらの材料の自己アセンブリを促進し、スピン・コーティング、浸漬コーティング、熱蒸着などの簡単な低温処理条件で材料を付着できるようにする。また有機成分は、無機成分の次元および無機ユニット間の電子結合を定義することにより無機骨格の電子特性を調整するのにも使用される。

Claim (excerpt)：

ソース領域およびドレーン領域と、半導体の有機/無機混成材料を含み、前記ソース領域と前記ドレーン領域の間を延びるチャネル層と、前記チャネル層に隣接して間隔をあけて配設されたゲート領域と、前記ゲート領域と前記ソース領域、前記ドレーン領域および前記チャネル層との間の電気絶縁層とを備える電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/00

FI (3)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/12 E ,  H01L 29/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光・電子機能材料およびその薄膜の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061839   Applicant：三菱電機株式会社
• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028474   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-146004   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-214685
  
• 強誘電体FET素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-073857   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Conducting tin halides with a layered organic-based perovskite structure