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J-GLOBAL ID：200903028178160173

光半導体素子およびその製造方法

Inventor： 竹内 哲也 ,  山田 範秀 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997265311
Publication number (International publication number)：1999112029
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】高効率GaN系光半導体素子の構造とその製造方法の提供。【解決手段】本発明の光半導体素子は通常用いられる{0001}面の面方位±1°等とは異なる面方位への成長をおこなってピエゾ電界の少ない歪量子井戸を形成している。半導体層を多層用いる本発明の光半導体素子では歪量子井戸のみを前記面方位で成長させてもよい。

Claim (excerpt)：

歪量子井戸層を含む複数のGaN系半導体層を成長させて組立た半導体素子であって少なくとも該歪量子井戸層の成長面の面方位がピエゾ電界が最大となる方位とは異なることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022602   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022602   Applicant：富士通株式会社