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J-GLOBAL ID：200903045397740365

光半導体装置

Inventor： 井上 忠夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022602
Publication number (International publication number)：1995235728
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】量子井戸構造を有する光半導体装置に関し、障壁層の中央の不純物から励起されたキャリアを井戸に効率良く注入するとともに、井戸からキャリアが溢れ難くすることを目的とする。【構成】圧電効果によって内部に電界が発生する歪層を有する障壁層を備えた量子井戸構造を含む。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部に圧電効果により内部電界を生じさせる歪層(3,4)を有する障壁層(2)と井戸層(1)とからなる量子井戸構造を備えたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-296165   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子および半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041878   Applicant：古河電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-296165   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子および半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041878   Applicant：古河電気工業株式会社