気相合成ダイヤモンドおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996253873
Publication number (International publication number)：1998081586
Application date： Sep. 03, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【目的】ヒートシンクなどに適する高い熱伝導率を有するダイヤモンド膜とその低コストの製造方法を提供する事。【構成】基板の上にダイヤモンドを初め低速度で気相合成して粒径の大きい結晶を核発生させ、次いで高速度で気相合成して厚み方向に柱状結晶の粒径を増大させ、基板を除去することによってダイヤモンドの自立膜を作る。基板側を研削して基板側の結晶粒の小さい部分を除くとさらに良い。結果として結晶粒の大きい柱状結晶の集合としてのダイヤモンドが得られる。柱状の結晶であって粒径が大きく、厚み方向には粒界が少ないので厚み方向の熱伝導率κtが13W/cmK以上になる。2段階目での成長速度は大きいので成長速度はかなり大きく合成のコストも下げられる。従来のように熱伝導率を上げるには成長速度を下げるという方法によらないので、膜厚方向に高熱伝導率を持つダイヤモンドを低コストで作製することができる。ラマン散乱の1332cm-1ピークの半値幅が4cm-1以上であっても熱伝導率は13W/cmK以上の高いものが得られる。

Claim (excerpt)：

ラマン散乱分光法における波数1332cm-1のダイヤモンドのピークの半値幅が4cm-1以上であって、厚み方向の熱伝導率をκtとし、面内方向の熱伝導率をκlとした時、κt≧κlかつκt≧13W/cmKであることを特徴とする気相合成ダイヤモンド。

IPC (3)：

C30B 29/04 , C23C 16/26 , C23C 16/56

FI (3)：

C30B 29/04 A , C23C 16/26 , C23C 16/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192118 Applicant：住友電気工業株式会社
白色ダイヤモンドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-003852 Applicant：ノートンカンパニー
切削工具用ダイヤモンド膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-319323 Applicant：住友電気工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Phonon scattering in chemical-vapor-deposited diamond

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