半導体基板の製造方法および製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337894
Publication number (International publication number)：1995201975
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、シリコン基板に酸素イオンを注入することにより厚さ90nm以上の連続した埋め込み酸化膜と転位の数が103 個/cm2 未満の単結晶シリコン層からなる高品質なSOI型半導体基板を製造する方法を提供する。【構成】一連の酸素イオン注入の逐一の平均注入深さと注入イオン量を連続的あるいは段階的に変え、酸素原子濃度分布が深さ方向には1つの極大値を有せしめ、一定深さ面内では均一にし、酸素原子濃度の最大値を好ましくは2.25×1022原子/cm3 以下かつ1.0×1022原子/cm3 以上とし、全酸素イオン注入量を得たい埋め込み酸化膜の厚さに4.48×1022をかけた量にし、さらに、埋め込み酸化膜形成のために1300°C以上の温度の熱処理を酸素イオン注入が終了した後に行うことにより高品質なSOI半導体基板が製造できる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板にその主表面から酸素イオンを注入してSOI型の半導体基板を製造する方法において、該シリコン基板に注入された酸素原子の濃度の最大値が4.0×1022原子/cm3 以下かつ1.0×1022原子/cm3 以上となるように酸素イオンを注入することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/76 R , H01L 21/265 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-009940
特開平3-240230
特開昭63-104470

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