Pat
J-GLOBAL ID：200903028310967421

ヒ素含有鉱酸の再生方法

Inventor：
張 亮

About 張 亮

, 
小坂 千秋

About 小坂 千秋

, 
徳増 沙織

About 徳増 沙織


Applicant, Patent owner：
前澤工業株式会社

About 前澤工業株式会社

, 
ナガオ株式会社

About ナガオ株式会社


Agent (1)： 木戸 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003200218
Publication number (International publication number)：2005041707
Application date： Jul. 23, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
【課題】ヒ素濃度が1000ppm以下の希薄ヒ素を含有した鉱酸からヒ素を効率よく除去することができ、鉱酸を再生して有効に再利用することができるヒ素含有鉱酸の再生方法を提供する。【解決手段】希薄ヒ素を含有する鉱酸からヒ素を除去して鉱酸を再生する方法であって、固形硫化物及び/又は硫黄の存在下で前記ヒ素含有鉱酸を硫化水素ガスと接触させることによりヒ素を固形硫化ヒ素に変換し、次いで固液分離手段により前記固形硫化ヒ素を除去して再生鉱酸を得る。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
希薄ヒ素を含有する鉱酸からヒ素を除去して鉱酸を再生する方法であって、固形硫化物及び/又は硫黄の存在下で前記ヒ素含有鉱酸を硫化水素ガスと接触させることによりヒ素を固形硫化ヒ素に変換し、次いで固液分離手段により前記固形硫化ヒ素を除去して再生鉱酸を得ることを特徴とするヒ素含有鉱酸の再生方法。
IPC (6)：
C01B17/90 ,  B01D19/00 ,  C02F1/20 ,  C02F1/62 ,  C02F1/72 ,  C02F1/74
FI (7)：
C01B17/90 L ,  B01D19/00 F ,  B01D19/00 101 ,  C02F1/20 C ,  C02F1/62 Z ,  C02F1/72 C ,  C02F1/74 C
F-Term (18)：
4D011AA15 ,  4D011AA16 ,  4D037AA11 ,  4D037AB13 ,  4D037BA23 ,  4D037BB05 ,  4D037BB07 ,  4D037CA02 ,  4D038AA10 ,  4D038AB70 ,  4D038AB80 ,  4D038BB17 ,  4D050AA12 ,  4D050AA13 ,  4D050AB41 ,  4D050BB01 ,  4D050BB09 ,  4D050CA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
Show all
Cited by examiner (12)
  • 特開昭48-089194
  • 特開昭48-089194
  • 特開昭62-191409
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM