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J-GLOBAL ID：200903028314290949

半導体デバイス

Inventor： 川崎 雅司 ,  大野 英男 ,  鯉沼 秀臣
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 橋爪 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000264885
Publication number (International publication number)：2002076356
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 3d遷移金属元素をドープした酸化亜鉛等の透明チャネル層を用い、熱処理を不要とした透明なトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層11は、例えば、3d遷移金属元素をドープした酸化亜鉛ZnO等の透明な半導体で形成される。ソース12、ドレイン13又はゲート14は、各々の内、全部又は一部に透明電極が用いられる。透明電極としては、例えば、III族元素等をドープした導電性ZnO等の透明導電性材料が用いられる。ゲート絶縁層15としては、例えば、1価の価数を取りうる元素又はV族元素又は3d遷移金属元素をドープした絶縁性ZnO等の透明絶縁性材料が用いられる。基板16は、熱処理と比較的弱い材料、例えば、プラスティック、ポリエチレン、ポリマーフィルム等を用いることができる。

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛ZnO、酸化カドミウムCdO、ZnOにIIB元素若しくはIIA元素若しくはVIB元素を加えた化合物又は混合物の内いずれかを用い、3d遷移金属元素又は希土類又は透明半導体の透明性を失わせずに高抵抗にする不純物をドープした透明チャネル層と、III族元素若しくはVII族元素若しくはI族元素若しくはV族元素のいずれかをドープした若しくはドープしない導電性ZnO等の透明導電性材料、In2O3若しくはSnO2若しくは(In-Sn)Oxなどの透明導電体、又は、透明でない電極材料を、その全部又は一部に用いた、ソース及びドレイン及びゲートと、前記透明チャンネル層が形成されるための絶縁性基板を備えた半導体デバイス。

IPC (12)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/8229 ,  H01L 27/102 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00 ,  H01L 41/08 ,  H01S 5/026

FI (11)：

G02F 1/1333 500 ,  H01L 33/00 J ,  H01S 5/026 ,  H01L 29/78 618 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/10 331 ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/72 ,  H01L 41/08 D

F-Term (68)：

2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H092JA28 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA19 ,  2H092KB14 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092NA22 ,  2H092PA01 ,  5F003BA92 ,  5F003BH05 ,  5F003BM04 ,  5F003BP08 ,  5F003BP23 ,  5F041BB26 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041CB33 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F073AB14 ,  5F073AB16 ,  5F073BA09 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073GA38 ,  5F083AD14 ,  5F083AD70 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA31 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-326889   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (1)

• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-326889   Applicant：科学技術振興事業団