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J-GLOBAL ID：200903028319956503
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997338107
Publication number (International publication number)：1999157996
Application date： Nov. 21, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 CZ法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、FPD 及びL/D がウエーハ全面内に存在せず、かつウエーハ全面で酸素析出によるゲッタリング能力があるウエーハ、及び OSF核は存在するが、熱酸化処理時に該リングは発生せず、 FPD及びL/D がウエーハ全面に存在せず、かつゲッタリング能力があるウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/G[mm2/°C・min] の値を縦軸、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm] を横軸とした欠陥分布図において、 OSFリングの外側のN領域の内、酸素析出の多いN2(V)領域で引上げるか、 OSFリング領域を含む OSFリング内外のN1(V)領域とN2(V)領域内でシリコン単結晶を引上げる。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成する際に、引上げ速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG[°C/mm]で表した時、結晶中心から結晶周辺までの距離D[mm]を横軸とし、F/G[mm2 /°C・min]の値を縦軸として欠陥分布を示した欠陥分布図において、OSFリング領域の外側に存在するN領域の内、酸素析出の多いN2 (V)領域内で結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, H01L 21/208
, H01L 21/02
, H01L 21/322
C30B 29/06 502 H
, C30B 15/00 Z
, H01L 21/208 P
, H01L 21/02 B
, H01L 21/322 Y
