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J-GLOBAL ID：200903028321380490
酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006379
Publication number (International publication number)：1998204684
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 電析による酸化亜鉛薄膜の形成を安定化し、かつ基板密着性、均一性に優れた製造方法を提供するものである。とくに、光起電力素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な酸化亜鉛薄膜とする。【解決手段】 少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液に浸漬された導電性基体と、該溶液中に浸漬された電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法であって、前記水溶液を高速流動させる。
Claim (excerpt)：
長尺導電性基体と対向電極との間隙に少なくとも硝酸イオン、亜鉛イオン、及び炭水化物を含有してなる水溶液を長尺基体の長手方向に高速に流動させ、前記導電性基体と前記対向電極との間に通電することにより、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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