金属酸化物半導体の製造方法及びこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007219623
Publication number (International publication number)：2009054763
Application date： Aug. 27, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】本発明の目的は、キャリア移動度や安定性が高い金属酸化物半導体を得ることにあり、更に生産効率が向上した金属酸化物半導体の製造方法を得ることにあり、これを用いて安定に動作する薄膜トランジスタ(TFT)素子を得ることにある。【解決手段】基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、還元処理を行った後、酸化処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C01G 19/00 , C01G 15/00

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , C01G19/00 A , C01G15/00 B

F-Term (48)：

5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

金属酸化物半導体薄膜及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-378118 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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