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J-GLOBAL ID：200903028425688380
透明導電性超薄膜及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院大阪工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197962
Publication number (International publication number)：1995173610
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：
【要約】【構成】基体上に形成された遷移金属の少なくとも1種を含む膜厚1〜200nmの透明導電性超薄膜;及び気化した遷移金属の少なくとも1種を、真空中で励起状態の基体上に蒸着させて当該遷移金属の薄膜を形成することを特徴とする透明導電性超薄膜の製造方法。【効果】透明性、導電性及び耐環境性に優れた薄膜を提供できる。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された、遷移金属の少なくとも1種を含む膜厚1〜200nmの透明導電性超薄膜。
IPC (4)：
C23C 14/08
, C01G 55/00
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
