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J-GLOBAL ID：200903028438333425

静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法

Inventor： 羽田 肇 ,  坂口 勲 ,  佐藤 芳之 ,  鈴木 峰晴
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002141548
Publication number (International publication number)：2003332254
Application date： May. 16, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 材料処理、新規材料合成のためのコンビナトリアル方法、特に、酸化物材料からなる試料片の面内のイオン注入量を系統的に不均一化することができるコンビナトリアルイオン注入方法の提供。【構成】 X、Y、それぞれを互いに直交する座標とするとき、X方向、Y方向の走査板に交番電圧を印加し、どちらか一方または両方に非三角波の波形でイオンビームを走査し、試料片に制御された不均一イオン注入を行う静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法。この方法により、低濃度注入領域、中濃度注入領域、高濃度注入領域のイオン注入領域や超低濃度から超高濃度までの濃度領域を製作可能である。

Claim (excerpt)：

X、Y、それぞれを互いに直交する座標とするとき、X方向、Y方向の走査板に交番電圧を印加し、どちらか一方または両方に非三角波の波形でイオンビームを走査し、ウエハ状試料に制御された不均一イオン注入を行う静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317

FI (3)：

C23C 14/48 Z ,  H01J 37/317 A ,  H01L 21/265 T

F-Term (8)：

4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD00 ,  4K029CA10 ,  4K029DE06 ,  5C034CC05 ,  5C034CD04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオン注入装置及びイオン注入方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-341061   Applicant：ソニー株式会社