オプトエレクトロニクス半導体デバイス及び照明灯又はランプ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999018691
Publication number (International publication number)：1999289098
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】温度及び周囲の湿度に関して適用範囲の拡大に適し、約300nm乃至1600nmの波長範囲においても動作することのできるオプトエレクトロニクス半導体デバイスを提供する。【解決手段】電磁波を放出或いは受波する半導体素体(チップ)が導電性の導体フレームに固定され、パッケージによって包囲されている。使用されている全てのパッケージ材料及び導体フレームが製造及び使用の際に生ずる温度範囲において互いに整合した熱膨張係数を持っている。

Claim (excerpt)：

電磁波を放出或いは受波する半導体素体(チップ)(2、12)が導電性の導体フレーム(3、10)に固定され、パッケージによって包囲されているオプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、使用されている全てのパッケージ材料及び導体フレームが製造及び使用の際に生ずる温度範囲において互いに整合した熱膨張係数を持っていることを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 31/02 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 31/02 B , H01L 33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

発光装置及びそれを用いた表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-091879 Applicant：日亜化学工業株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-080143 Applicant：日本電気株式会社
特開昭61-202484

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