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J-GLOBAL ID：200903028549314802

半導体装置の製法

Inventor： 藤本 勝久
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997355967
Publication number (International publication number)：1999186368
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 研削の終った後の半導体ウェハの移動の際に、半導体ウェハに傷を付けたり、破損したりしないような半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハに電気素子を形成し、該半導体ウェハの裏面を研削する半導体装置の製法であって、前記半導体ウェハを研削用のインデックステーブルに載せて該半導体ウェハの裏面を研削し、研削後に前記インデックステーブルから半導体ウェハをアンロードする際に、前記半導体ウェハを吸着して移動する移行アームの真空吸着用の吸引孔23から気体を吐出させながら前記移行アームのパット20表面に洗浄液を噴射させてパット20の表面を洗浄し、その後前記研削の終った半導体ウェハを前記移行アームにより吸着して移動することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハに電気素子を形成し、該半導体ウェハの裏面を研削する半導体装置の製法であって、前記半導体ウェハを研削用のインデックステーブルに載せて該半導体ウェハの裏面を研削し、研削後に前記インデックステーブルから半導体ウェハをアンロードする際に、前記半導体ウェハを吸着して移動する移行アームの真空吸着用の吸引孔から気体を吐出させながら前記移行アームのパット表面に洗浄液を噴射させて前記パット表面を洗浄し、その後前記研削の終った半導体ウェハを前記移行アームにより吸着して移動することを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 631

FI (3)：

H01L 21/68 B ,  H01L 21/304 622 L ,  H01L 21/304 631

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 研削盤のリトラクト機構
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265385   Applicant：芝山機械株式会社
• 特開昭63-137448
  
• 特開昭63-137448