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J-GLOBAL ID：200903028569368410

半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置

Inventor：
高木 幹夫

About 高木 幹夫


Applicant, Patent owner：
株式会社エフティーエル

About 株式会社エフティーエル


Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994339005
Publication number (International publication number)：1996186081
Application date： Dec. 29, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 内管(1b)と外管(1a)含んでなる縦型反応炉の下部において環状流路(4)から少なくとも不活性ガスを排気(3)しつつウェーハ(8)を加熱炉内で反応ガスの存在下で熱処理する半導体装置の製造において、パーティクルを低減する。【構成】 外管(1a)内にウェーハ(8)の位置もしくは該位置より上方で導入された反応ガスと、内管(1b)の上端とほぼ同じ位置もしくはより上方に上昇移動されたウェーハ(8)との反応を起こさせ,また内管(1b)の下部よりウェーハの方向に流された不活性ガスにより反応ガスの内管内への流入を阻止する。
Claim (excerpt)：
内管と外管を含んでなる縦型反応炉の下部において内管と外管の間の環状流路から少なくとも不活性ガスを排気しつつウェーハを加熱炉内で反応ガスの存在下で熱処理する半導体装置の製造方法において、前記外管内にウェーハの位置もしくは該位置より上方で導入された反応ガスと、前記内管の上端とほぼ同じ位置もしくはより上方に上昇移動されたウェーハとの反応を起こさせるとともに、前記内管の下部より前記ウェーハの方向に流された不活性ガスにより前記反応ガスの内管内への流入を実質的に阻止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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