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J-GLOBAL ID：200903028586057291

TFT型液晶表示装置

Inventor：
佐々木 順彦

About 佐々木 順彦


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238509
Publication number (International publication number)：2001066632
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 層間絶縁膜の膜厚を厚くしても、層間絶縁膜上に形成した透明画素電極とドレイン電極とを、コンタクトホールを介して断線することなく安定して接続できるTFT型液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 TFT型液晶表示装置は、液晶層11を挟んだ一対の基板1、12の一方の基板1上に、ゲート電極2、ゲート絶縁膜3及び半導体層4が順に重ねて形成され。半導体層4のチャネル領域の両側にソース電極5及びドレイン電極6が配置され、TFTが形成されている。TFT上に層間絶縁膜7が形成され、この上に透明画素電極8が形成されている。透明画素電極8とドレイン電極6とが、層間絶縁膜7に形成されたコンタクトホール9を介して接続され、コンタクトホール9が、ドレイン電極6から透明画素電極8に向けて拡径に形成され、開口内縁部が0.5乃至2.0μmの曲率を有するように形成されている。
Claim (excerpt)：
液晶層を挟んだ一対の基板の一方の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層が順に重ねて形成されるとともに、該半導体層のチャネル領域の両側にソース電極及びドレイン電極が配置されたTFTが形成され、該TFT上に有機物からなる層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に透明画素電極が形成され、該透明画素電極と前記ドレイン電極とが前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続され、該コンタクトホールが前記ドレイン電極から透明画素電極に向けて拡径に形成されてなるとともに、開口内縁部が0.5乃至2.0μmの曲率を有することを特徴とするTFT型液晶表示装置。
IPC (4)：
G02F 1/1365 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 616 S
F-Term (21)：
2H090HA04 ,  2H090HB07Y ,  2H090HC05 ,  2H090HD05 ,  2H090LA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092KB25 ,  2H092MA10 ,  2H092MA22 ,  2H092MA37 ,  2H092NA07 ,  2H092NA15 ,  2H092PA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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