半導体集積回路装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009323
Publication number (International publication number)：1996204130
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】新規な構成にて高電圧動作部で発生するノイズや熱等に起因する不具合を解消することができる半導体集積回路を提供する。【構成】SOI基板における絶縁体上に形成された単結晶シリコン層には、高電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域Z1a〜Z1dと、低電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域Z2,Z3とが形成されている。島状半導体領域Z1a〜Z1dと島状半導体領域Z2との間に高電圧動作部の接地ラインL2が配置されている。接地ラインL2の下部にはトレンチ30で囲まれた島状半導体領域Z5が形成され、接地電位に固定されている。島状半導体領域Z2とZ3との間には低電圧動作部の接地ラインL4が配置され、接地ラインL4の下部にトレンチ32で囲まれ接地電位に固定した島状半導体領域Z6が形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁体上に形成された半導体層に、高電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域と、低電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域とを有する半導体集積回路装置であって、前記高電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域と前記低電圧動作する機能ブロックが形成された島状半導体領域との間に高電圧動作部の接地ラインを配置するとともに、この接地ラインの下部にトレンチで囲まれ接地電位に固定した島状半導体領域を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/762 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 27/04 H , H01L 21/76 D , H01L 27/04 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-049656 Applicant：日本電装株式会社
特開昭63-090162
特開平2-105532

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Cited by examiner (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-049656 Applicant：日本電装株式会社
特開昭63-090162
特開平2-105532

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