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J-GLOBAL ID:200903028620051966

薄膜トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 中島 淳 ,  加藤 和詳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009092899
Publication number (International publication number):2009260340
Application date: Apr. 07, 2009
Publication date: Nov. 05, 2009
Summary:
【課題】改善された性能を示す半導体層を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】改善された移動度及び/又は可撓性を有する薄膜トランジスタを提供する。半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む。前記薄膜トランジスタを製造及び使用する方法を提供する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
改善された移動度と可撓性とを有する薄膜トランジスタであって、 ゲート誘電体層と半導体層とを含み、前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む、薄膜トランジスタ。
IPC (3):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (3):
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A
F-Term (32):
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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