過電流保護回路

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：下田容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018106
Publication number (International publication number)：1994209519
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 IGBTの素子温度に応じて保護回路を作動させるしきい値を変化させること。【構成】 IGBT2のケース2aの温度(素子温度)を検出するサーミスタ3と、保護回路を作動させるしきい値となる所定のコレクタ・エミッタ間飽和電圧データを書込んだメモリ6と、サーミスタ3とメモリ6のデータに従ってこの飽和電圧データを補正するマイコン5と、コレクタ・エミッタ間電圧とマイコン5から出力された補正後の飽和電圧データとを比較するコンパレータ8と、このコンパレータ8から出力される一致信号でドライブ入力を遮断するスイッチング回路9とで過電流保護回路1を構成した。この構成によれば、素子温度に基づいてコレクタ・エミッタ間飽和電圧が補正されるのでしきい値の精度が向上し、IGBTを効率良く保護することができる。

Claim (excerpt)：

IGBTのコレクタ・エミッタ間電圧を検出する電圧検出手段と、前記IGBTの素子温度を検出する温度検出手段と、検出された温度に基づいて所定のコレクタ・エミッタ間電圧データを補正する電圧補正手段と、前記電圧検出手段の出力信号と前記電圧補正手段の出力信号とを比較する比較手段と、この比較手段から出力された一致信号に基づいて前記IGBTのゲート入力信号を制限する信号制限手段とを設けたことを特徴とする過電流保護回路。

IPC (3)：

H02H 7/12 , G05F 1/56 320 , G05F 1/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-181474
特開平1-111219
特開平2-164269

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